、光伏储能和车载OBC/DCDC/主驱等应用领域，飞锃半导体推出的第三代SiC MOSFET产品系列，产品规格覆盖750V 11/25/40/55mΩ，以及1200V 15/20/30/40/80mΩ等，采用了TO247-4和TO263-7封装形式。展现了更优的参数一致性、更低的开关损耗和更佳的导通特性，以满足高可靠性和高性能需求。

SiC MOSFET在电动车电驱系统中的创新应用以及未来发展策略

随着全球绿色能源转型步伐加快，新能源汽车市场正经历前所未有的增长。特别是在主驱逆变器领域，以SiC MOSFET为核心的技术革新，正成为推动行业迈向800V高压平台的关键力量。SiC MOSFET的引入，不仅显著提升了电驱系统的效率与功率密度，还实现了更快速的充电过程，满足了消费者对更长续航里程与更短充电时间的迫切需求。

在400V/800V主驱市场，飞锃半导体凭借其全面的SiC产品线与卓越的验证经验，已确立了行业领先地位。公司成功推出了涵盖市场主流规格的车规级SiC产品，包括1200V 35/70/160mohm和650V 30/45/60mohm的SiC MOSFET器件，满足了从低电压到高压应用的多样化需求。

围绕客户的关切需求和行业标准的苛刻指标，樊雅琴女士表示：“飞锃半导体的车规级SiC产品严格遵循AEC-Q101可靠性标准，并通过了HV-H3TRB测试，确保了在极端条件下的稳定表现。面对高压驱动系统对性能与可靠性的严苛要求，飞锃半导体通过精心设计与工艺优化，找到了性能与成本的最佳平衡点，确保产品能够无缝融入主驱电机的实际工况，为高压驱动系统的稳定运行提供了坚实的技术支撑。”

面向未来的发展策略，飞锃半导体将继续深耕SiC MOSFET技术创新，致力于开发更高性能、更低成本的碳化硅功率器件，以满足新能源汽车市场日益增长的多元化需求。樊雅琴女士表露“公司计划进一步拓展产品线，覆盖更广泛的电压与功率范围，同时加强与全球顶尖车载电源企业的合作，加速SiC技术在新能源汽车领域的广泛应用。”

樊雅琴女士坚信飞锃半导体坚通过持续的技术研发与市场开拓，将引领新能源汽车电驱系统步入全新的发展阶段，为全球绿色出行贡献更多力量。随着SiC MOSFET技术的不断成熟与普及，一个更加高效、环保的未来出行时代正加速到来。